TC7-3: SiC、GaN器件、新型功率器件及其应用 I（腾讯会议） (二层 203)
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会议主题：TC7-3: SiC、GaN器件、新型功率器件及其应用 I会议时间：2022-11-07 8:00-10:00 (GMT+08:00) 中国标准时间 - 北京
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https://meeting.tencent.com/dm/HxiUNk7pioLL#腾讯会议：219-632-344
主持人：罗皓泽 浙江大学; 刘晓东 安徽工业大学
08:00-08:20
TC7.3.1 GaN 基半桥变换器的 PCB 版图优化设计
08:20-08:40
TC7.3.2 基于 ACF 拓扑的 p 型肖特基栅氮化镓 HEMT 动态稳定性研究
08:40-09:00
TC7.3.3 GaN 基功率器件击穿电压研究进展
09:00-09:20
TC7.3.4 基于 LLC 拓扑的耗尽型 GaN HEMT 在软开关中的动态特性表征
09:20-09:40
TC7.3.5 基于 PSO-BP 神经网络的 SiC MOSFET 模块寿命预测方法研究与实现
09:40-10:00
TC7.3.6 不同功率器件在充电桩三相 LLC 拓扑中的应用探讨
